为了减小或这种损耗，功率场效应管宜采用零电压通方式（ZVS）。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下通时，并不能减小容性通损耗。电力电子关器件和零关转换器技术的发展，促使了高频关电源的发展。
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