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另一方面不断扩大硅片直径以减少芯片的离故度和降低成本。相应地，作为集成电路基础材料的硅单晶生产也在不断地提高其技术质量指标和增大单晶锭的直径和长度，以满足电路的要求和降低自身的生产成本。在国外市场上，硅晶体直径大致每4～5年增长1时（25．4mm），相应地，生产投料重也由1公斤逐渐发展为3～5公斤，8～12公斤，15～刘公斤和朋～6O公厅等几个等级。在这发展中，有两个条件是相辅相成。以提高集成度DL-78型单晶炉的热场和减压工艺\1前言集成电路生产的发展一方面不断缩小元件尺寸共同进步的减压工艺的设计与调整。
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电阻系数小，耐腐蚀，易于精密机等优点。本发明具有积极的效果(1)本发明的直拉式单晶生长炉中，经氩气 输入管输入的氩气气压为0. 8 x 103pa0. 9 x l03Pa，氩气流量为30L/min。 该氩气流量不但不影响该炉中单晶的生长，平均每个直拉式单晶生长炉每 天可少消耗1440L氩气，有效降低了生产成本，且利于在硅单晶生长过程 中单晶分子排列结构的整齐性，还利于提高电阻率的均布性。99%以上的集成电路是硅集成电路。生产集成电路所需要的单晶硅 ，是在硅结晶生长始时 ，用低速提拉，生长过程均速提拉的法制成的。提拉速度的控制性能将直接影响到晶体的质量。当今 ，随着 IT产业的迅速发展 ，单晶硅生产市场需求剧，研制一种满足工艺要求，低成本的提拉速度控制系统具有重要的实际意义。在半导体材料中用量大和用途广的是半导体硅。当今 95 %以上的半导体器件是用硅材料的 一种实用的单晶炉提拉速度控制系统\前言半导体材料是半导体工业的基础材料 本文结合某单晶炉产品的研制 经折算后 (见下节式 ( 3) )。
